【出版・プレスリリース】大きなTMR効果を反強磁性体で提案

田中克大特任助教（研究当時）が中心となって取り組んでいた、Mn3Sn/MgO/Mn3Snにおいて大きなTMR効果が現れることを理論的示した研究成果がPhysical Review Materialsから出版されEditors' Suggestionに選ばれました。

Katsuhiro Tanaka, Yuta Toga, Susumu Minami, Satoru Nakatsuji, Takuya Nomoto, Takashi Koretsune, and Ryotaro Arita

Ab initio study of magnetoresistance effect in Mn3Sn/MgO/Mn3Sn antiferromagnetic tunnel junction

Phys. Rev. Mat. 10, 044405 (2026). [Editors' Suggestion]

本研究成果について、プレスリリースを発表しました。 詳細は以下のリンクよりご覧ください。

理学部プレスリリース（日本語/英語）

また、EE Times Japanさんに取り上げていただきました。こちらもあわせてご覧ください。

EE Times Japan, 『反強磁性体で大きなTMR効果　超高速MRAM実現の可能性』

プレスリリースの本文より引用。Mn3Sn/MgO/Mn3Snの磁気トンネル接合。上部のMnの磁気モーメントが反転することでトンネル磁気抵抗（TMR）が変化する。