【出版・プレスリリース】電気的なスイッチング機構を膜厚によって制御することに成功

松尾拓海さん（ジョンズホプキンス大学博士課程）が中心となって行った、研究成果がNature Communicationsから出版されました。本研究では、電流によるMn3Snの磁化反転が温度アシストによる機構とスピン起動トルクによる内因性機構によってよく理解され、これらの発現機構を膜厚によって制御することで、ピコ秒スケールのスイッチング現象を引き出せることを示しています。

Takumi Matsuo, Tomoya Higo, Hanshen Tsai, Daisuke Nishio-Hamane, Takuya Matsuda, Ryota Uesugi, Kouta Kondou, Shinji Miwa, Yoshichika Otani & Satoru Nakatsuji

Crossover between intrinsic and temperature-assisted regimes in spin-orbit torque switching of antiferromagnetic order

Nat. Commun. 17, 5838 (2026).

本研究成果について、プレスリリースを発表しました。 詳細は以下のリンクよりご覧ください。

理学系研究科プレスリリース

また、本日7月14日付の日刊工業新聞でも取り上げていただきました。

7月24日付の科学新聞３面「超高速量子メモリ動作を引き出す素子設計」で取り上げていただきました。（追記）

是非ご覧ください。

プレスリリースの本文より引用。電流によるMn3Snの磁化反転の模式図。下の経路では印加電流による発熱による磁化の反転を示し、上の経路ではスピン軌道トルクによる内因性の機構によって磁化が反転する。膜厚によりスイッチングを実現させる機構を制御できる。