【出版・プレスリリース】2024.04.26 朝倉さん(D2)の論文出版：「交換バイアスを用いた反強磁性体の磁気状態の制御に成功―超高速・超省電力メモリの開発への大きな一歩―」

朝倉海寛さん(D2)が中心となって行った、反強磁性体Mn3Snの磁気秩序を交換バイアスによって制御した研究成果が出版されました。

M. Asakura, T. Higo, T. Matsuo, R. Uesugi, D. Nishio-Hamane, S. Nakatsuji,

"Observation of Omnidirectional Exchange Bias at All-Antiferromagnetic Polycrystalline Heterointerface"

Adv. Mater. 2400301 (2024).

本内容について、プレスリリースを発表しました。

「交換バイアスを用いた反強磁性体の磁気状態の制御に成功―超高速・超省電力メモリの開発への大きな一歩―」