【出版・プレスリリース】超高速・不揮発性スイッチング素子の実証

Tsai Hanshen特任助教が中心となって進めていた、Mn3Snを用いた超高速スイッチング素子を実現した研究成果がScienceから出版されました。本研究成果では、従来のCPUやGPUに対して、1,000倍のスピードのピコ秒スイッチングの実現を示しています。低消費電力という特性を活かし、通信波長域における光電変換による光電流によって引き起こされるピコ秒オーダーのスイッチング現象の実証になります。我々の研究成果は、超高速動作と高いエネルギー効率が求められる次世代のメモリおよび情報処理技術において、機能性反強磁性体が持つ大きな可能性を浮き彫りにするものであり、集積型フォトニクス・スピントロニクスデバイスの開発に寄与する可能性があります。

H. Tsai, T. Matsuda, K. Kondou, K. Shimizu, T. Nomoto, T. Higo, T. Matsuo, Y. Tsushima, M. Asakura, H. Peng, D. NishioHamane, S. Yamada, R. Tang, T. Iizuka, S. Miwa, R. Arita, M. Takenaka, S. Nakatsuji

Picosecond ultralow-power switching device based on an antiferromagnet

Science 392, 761 (2026).

本研究成果について、プレスリリースを発表しました。 詳細は以下のリンクよりご覧ください。

理学部プレスリリース（日本語/英語）

また、本研究成果に対しまして日本経済新聞より取り上げていただきました。こちらも合わせてご参照ください。

日本経済新聞「コンピューターの処理速度1000倍へ、東大が素子開発　発熱せず稼働」

プレスリリースの本文より引用。（左図）光パルスによって、ピコ秒電流パルスを生成し、Mn3Snに印加する。（右図）電流パルスによってMn3Snの磁気八極子（オレンジ矢印）の向きが変化する様子。